[发明专利]硅片的生产方法及利用该方法生产的硅片、太阳能电池有效
| 申请号： | 202110467033.7 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113224178B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;赵百通;佐佐木实;高向曈 | 申请（专利权）人： | 宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡智睿风行知识产权代理事务所(普通合伙) 32631 | 代理人： | 凤婷 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的生产方法及利用该方法生产的硅片和太阳能电池，包括以下步骤：(1)基板存放；(2)基板检测；(3)制作薄硅片；(4)基板薄硅片退火；(5)基板硅片的p型或n型扩散；(6)形成pn结的基板硅片退火。利用本发明的方法能够实现50μm以下的硅薄膜，理论上可以省去80％以上的硅料，硅片直接自然生长在基板表面，厚度均匀，并在基板硅片上直接制作太阳能电池，提高发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 生产 方法 利用 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
