[发明专利]基于Ⅲ族氮化物的晶体管器件在审
| 申请号： | 202110464442.1 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113571574A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | A·比尔纳;H·布雷希;J·特怀南 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了基于Ⅲ族氮化物的晶体管器件。在实施例中，基于III族氮化物的晶体管器件包括：位于基于III族氮化物的底部层的第一主表面上的源极电极、漏极电极和栅极电极，其中栅极被在横向上布置在源极电极和漏极电极之间；被布置在第一主表面上的钝化层；以及耦合到源极电极的场板，场板具有被布置在钝化层上的下表面。场板被在横向上布置在栅极电极和漏极电极之间并且在横向上与栅极电极和漏极电极间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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