[发明专利]压力键合装置、控制系统及压力键合方法有效
| 申请号： | 202110463209.1 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113270343B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李健;韦欣;李川川;邱小浪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种压力键合装置、控制系统及压力键合方法，压力键合装置包括：键合凹槽，用于放置键合辅助材料；加压缓冲单元，包括：加压部件，悬空设置于键合凹槽上方；以及承压单元，设置在键合凹槽下方，用于为键合凹槽提供支撑；其中，所述加压部件可插入所述键合凹槽，以挤压容纳在所述键合凹槽内的待键合物体，实现所述待键合物体的键合。本发明通过设置键合凹槽以及设置在键合凹槽下的温度控制单元，并在压力键合过程中引入键合辅助材料，完成芯片与热沉之间键合，提高芯片键合的效率，降低芯片与热沉之间产生气泡的几率，提高芯片键合的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 压力 装置 控制系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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