[发明专利]一种P型槽栅结合极化层结构的GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 202110462035.7 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113178485A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 冯全源;杨红锦 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/207;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 代维凡 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型槽栅结合极化层结构的GaN HEMT器件，包括依次层叠的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层；沟道层、势垒层和钝化层的长度小于缓冲层的长度以在两侧形成缺口，并在两侧的缺口分别设置漏极和源极；势垒层和钝化层的相同位置分别设置槽栅和通孔，并在槽栅和通孔内设置P型栅极；势垒层与钝化层之间还设置有极化层。本发明克服了传统P‑GaN栅HEMT器件的阈值电压普遍偏低的问题，能够大幅度提升GaN HEMT器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型槽栅 结合 极化 结构 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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