[发明专利]半导体器件的制作方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202110461644.0 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115249649A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 苏廷锜;张峰溢;蔡尚元 | 申请（专利权）人： | 广州集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 谢阅 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有源结构和栅极结构，所述栅极结构包括用于被移除的牺牲栅极结构和移除后剩余的预留栅极结构；在预定区域处，移除所述牺牲栅极结构以形成对应的栅极开口；在形成所述栅极开口之后，在所述衬底上方以及所述栅极开口内沉积抵接所述预留栅极结构的侧壁的阻挡层和/或层间介质层；以及在形成有所述阻挡层和/或所述层间介质层的栅极开口中形成栅极间隔件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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