[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110461289.7 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192827A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 梁肖;刘宇;刘昌宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成若干栅极结构及若干目标区，所述目标区排布在所述栅极结构的两侧；在所述基底的表面上形成介质层；在所述介质层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有若干第一开口，一个所述第一开口与一个所述目标区对准；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述介质层，以在所述介质层内形成若干第二开口；去除所述图形化的光刻胶层；以及，沿着所述第二开口底部刻蚀所述基底的部分深度以形成若干第三开口，一个所述第二开口与一个所述第三开口联通并构成第一连接通孔，本发明提高了半导体器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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