[发明专利]一种屏蔽栅极沟槽器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110461247.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192826A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 魏雪娇;陈莉芬;周颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种屏蔽栅极沟槽器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底形成有器件单元区和电极连接区，所述电极连接区与所述器件单元区连接，其中，器件单元区形成有第一沟槽，第一沟槽内形成有屏蔽栅，所述电极连接区形成有第二沟槽，所述沟槽内形成有电极材料；沉积第一隔离层；对屏蔽栅上的所述第一隔离层进行部分刻蚀、对第一沟槽的第一方向的侧壁的所述第一隔离层进行完全刻蚀，并保留第二沟槽的第二方向的电极连接区侧壁的所述第一隔离层；在所述第一隔离层上形成第二隔离层；对第一沟槽侧壁的第一方向的所述第二隔离层进行完全刻蚀，并保留第二沟槽的第二方向的电极连接区的侧壁的所述第二隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 栅极 沟槽 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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