[发明专利]射频芯片结构和增加射频芯片隔离度的方法在审
申请号: | 202110459658.9 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113141192A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 张松柏;盛怀茂;施颖 | 申请(专利权)人: | 芯朴科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40;H04B7/0413 |
代理公司: | 上海和华启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人: | 余昌昊 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种射频芯片结构和增加射频芯片隔离度的方法,射频芯片结构包括:集成在一个芯片中的多个射频模块,所述芯片外围和相邻所述射频模块之间设置有隔离环,所述隔离环位于相邻所述射频模块之间的中间部分接地。本发明实现高度集成的射频模组设计,既提高芯片的启动和响应时间,又降低整体成本。 | ||
搜索关键词: | 射频 芯片 结构 增加 隔离 方法 | ||
【主权项】:
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