[发明专利]射频芯片结构和增加射频芯片隔离度的方法

权利要求书

1.一种射频芯片结构，包括：

集成在一个芯片中的多个射频模块，所述芯片外围和相邻所述射频模块之间设置有隔离环，所述隔离环位于相邻所述射频模块之间的中间部分接地。

2.根据权利要求1所述的射频芯片结构，其特征在于，所述射频模块包括低噪声放大器、射频开关、滤波器、功率放大器、巴伦、耦合器、混频器或功率合成器。

3.根据权利要求1所述的射频芯片结构，其特征在于，所述中间部分通过衬底的背面接地。

4.根据权利要求1所述的射频芯片结构，其特征在于，所述隔离环包括金属层、氧化层、钝化层。

5.根据权利要求1所述的射频芯片结构，其特征在于，所述隔离环与芯片内部电路之间间距大于等于芯片制造时最小距离。

6.一种增加射频芯片隔离度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100、在衬底上形成隔离环，所述隔离环包括外围部分及至少一个连接所述外围部分对侧的中间部分；

S200、将所述中间部分接地。

7.根据权利要求6所述的增加射频芯片隔离度的方法，其特征在于，在步骤S200中，从所述衬底的背面将所述中间部分接地。

8.根据权利要求6所述的增加射频芯片隔离度的方法，其特征在于，还包括：在所述隔离环中形成多个射频模块，相邻射频模块由所述中间部分隔离。