[发明专利]一种新型自组装分形结构硫化钨材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型自组装分形结构硫化钨材料及其制备方法，包括如下步骤：(1)将硫源、钨源分别放置于石英舟中，然后将清洗干净的SiO2/Si衬底倒置扣在装有钨源的石英舟表面；(2)取一两端开口的石英管，将装有硫源的石英舟和装有钨源的石英舟放置于石英管内，然后将石英管放入CVD炉膛中，随之封闭炉体；(3)在保护气体条件下，以氢气为催化气体，采用CVD法制得硫化钨材料。本发明通过控制两源间距、样品生长时间及温度、载流气体的种类及流速等影响WS2薄膜生长的主要因素，制得一种新型的自组装分形结构WS2薄膜，质量高，且制备工艺简单，成本低。