[发明专利]一种低寄生电容的晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110449496.0 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN115249742A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 马强;肖智敏 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐学青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低寄生电容的晶体管，包括衬底、设置于衬底第二表面的接地金属层、设置于衬底第一表面的外延层、及设置于外延层上的电极层，所述外延层包括栅极区、源极区及漏极区，所述源极区的电极层和漏极区的电极层包括欧姆接触层及设置于所述欧姆接触层上的上层金属层，对漏极区的一部分区域进行掺杂，使该区域外延形成绝缘区。在漏极区部分区域形成高阻绝缘区，明显地降低了源漏寄生电容，提高了射频器件的射频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寄生 电容 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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