[发明专利]一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法

摘要

本发明提供一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，提供硅基底，在硅基底上形成氧化层；在氧化层上形成氮化钛和钛的复合层；在复合层上形成铝层；在铝层上形成一层光刻胶层；对光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形；按照光刻胶图形刻蚀所述铝层，形成凹槽；刻蚀铝层采用等离子体刻蚀，并在刻蚀腔中引入氦气作为刻蚀气体。本发明在功率MOS器件制作过程中，对铝层的刻蚀步骤中增加静电吸盘表面的等效电压以及刻蚀腔的压力，并且引入氦气作为可是气体，轰击较多的光刻胶至铝层侧壁的表面。可将聚合物成分转化为光刻胶为主的聚合物，使聚合物容易被去除，同时可以促进等离子体解离，不容易形成含铝的聚合物。