[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及高度集成的存储器单元和具有所述存储器单元的半导体器件。根据一个实施例，一种半导体器件包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元垂直地层叠在基础衬底上，所述多个存储器单元中的每一个包括：位线，其从所述基础衬底垂直地定向；电容器，其与所述位线水平地间隔开；有源层，其被水平地定向在所述位线与所述电容器之间；字线，其位于所述有源层的上表面和下表面中的至少一个上，并且在与所述有源层交叉的方向上水平地延伸；以及覆盖层，其位于所述字线与所述位线之间，并且包括低k材料和气隙中的至少一种。