[发明专利]一种三维存储器失效样品制备方法在审
| 申请号： | 202110443764.8 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113176494A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘者;陈小刚 | 申请（专利权）人： | 苏州鲲腾智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 苏州欣达共创专利代理事务所(普通合伙) 32405 | 代理人： | 杨寒来 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器失效样品制备方法，属于集成电路的失效分析领域，一种三维存储器失效样品制备方法，包括以下步骤：步骤一、将芯片表面金属层去除；步骤二、将去除金属层的芯片置于机械研磨设备的样品台上；步骤三、调整样品台位置，使芯片目标分析区位于微抛光磨头的正下方；步骤四、调整微抛光磨头的位置，使其接触芯片表面，微抛光磨头与芯片表面接触角为45度；步骤五、设定微抛光磨头移动距离，然后开启微抛光磨头旋转。本发明，通过结合高精度机械研磨和聚焦离子束，实现弧形侧壁结构，在垂直视角下即可对三维堆叠层数进行准确计数，比较垂直侧壁结构，能够更快速及准确的找到失效位置，提高分析效率和准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 失效 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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