[发明专利]一种三维存储器失效样品制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器失效样品制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、将芯片表面金属层去除；

步骤二、将去除金属层的芯片置于机械研磨设备的样品台上；

步骤三、调整样品台位置，使芯片目标分析区位于微抛光磨头的正下方；

步骤四、调整微抛光磨头的位置，使其接触芯片表面，微抛光磨头与芯片表面接触角为45度；

步骤五、设定微抛光磨头移动距离，然后开启微抛光磨头旋转，打磨芯片目标分析区，同时监控微抛光磨头位移；

步骤六、在微抛光磨头达到目标层上方两层Word Line(W/L)时停止打磨；

步骤七、移出微抛光磨头，并确认实际去除深度和层数；

步骤八、将样品转移至聚焦离子束设备中，针对打磨区域进行离子束轰击；

步骤九、在到达目标位置时停止离子束；

步骤十、对样品进行垂直或水平切片，进行分析。

2.根据权利要求1所述的一种三维存储器失效样品制备方法，其特征在于：所述步骤二中机械研磨设备由控制系统、Z轴马达、旋转马达、微抛光磨头与样品台组成，所述控制系统控制样品台与微抛光磨头的位置，同时控制Z轴马达、旋转马达的转速。

3.根据权利要求2所述的一种三维存储器失效样品制备方法，其特征在于：所述旋转马达上安装有力反馈模块，将打磨压力数据输送至控制系统进行监控。

4.根据权利要求1所述的一种三维存储器失效样品制备方法，其特征在于：所述步骤三中微抛光磨头的尺寸为0.4mm。

5.根据权利要求1所述的一种三维存储器失效样品制备方法，其特征在于：所述步骤五中微抛光磨头转速为2000rpm，微抛光磨头位移控制精度为40nm。

6.根据权利要求1所述的一种三维存储器失效样品制备方法，其特征在于：所述步骤六中两层Word Line(W/L)为400nm。