[发明专利]具有改进的集成度和可靠性的具有标准单元的半导体装置在审
申请号: | 202110441277.8 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN113571509A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 金珍泰;李在夏;许东渊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置,其包括在衬底上的第一标准单元和第二标准单元,第一标准单元和第二标准单元具有各自的半导体元件和电连接到半导体元件的第一互连线。提供布线结构,布线结构设置在第一标准单元和第二标准单元上。布线结构包括电连接到第一互连线的第二互连线。第一互连线包括被构造为向半导体元件供电的第一电力传输线和电耦接到半导体元件的第一信号传输线。第二互连线包括:(i)第二电力传输线,其电连接到第一电力传输线并且延伸第一长度,(ii)第二信号传输线,其电连接到第一信号传输线,以及(iii)钉线,其电连接到第一电力传输线,在第一标准单元和第二标准单元之间的边界上延伸,并且延伸小于第一长度的第二长度。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 集成度 可靠性 标准 单元 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的