[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法有效
| 申请号： | 202110428528.9 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113224095B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 邱元元;肖敬才;朱作华;范晓 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，像素隔离结构的形成步骤包括：提供形成了有源区隔离结构的半导体衬底；形成离子注入硬质掩膜层；依次形成第一介质层、APF层和第二DARC层；涂布光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形；依次对第二DARC层、APF层、第一介质层和离子注入硬质掩膜层进行刻蚀将图形逐步转移到离子注入硬质掩膜层上；在对离子注入硬质掩膜层进行刻蚀时，APF层作为刻蚀硬质掩膜层，APF层厚度会损耗而使APF层的开口变宽；第一介质层的开口保持不变并从而使得离子注入硬质掩膜层的开口保持不变；进行离子注入。本发明能在形成定义像素隔离结构的离子注入硬质掩膜层图形过程中既满足光刻和刻蚀的工艺窗口的要求，由能实现图形的较好转移。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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