[发明专利]一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统有效
| 申请号： | 202110426987.3 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113270354B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杨冠南;赖海其;崔成强;张昱 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王锦霞 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统，包括以下步骤：S10.将芯片转移到垂直阵列排布的线束末端的抓头上；S20.控制线束与电场发生器的相对电压调整线束散开的弧度；S30.检测线束末端芯片是否处于同一水平面，修正局部芯片高度至芯片高度位于同一水平面；S40.检测芯片间距，当芯片间距处于合适间距时，将线束末端的芯片对准承载基板的目标焊盘；S50.使芯片脱离转移至承载基板的目标焊盘上；S60.依次完成多种类型的芯片向同一承载基板上的巨量转移。本发明通过调控静电场以调控线束的弯曲扩散，从而对芯片间距进行高精度的阵列扩张和转移，简化了芯片巨量转移的工艺流程，提高了芯片转移效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电场 控制 芯片 阵列 扩张 巨量 转移 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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