[发明专利]具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构在审
| 申请号： | 202110404698.3 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114649421A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 黄智方;胡家玮;林祐安;詹咏翔 | 申请（专利权）人： | 黄智方 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构，包含：一沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应应晶体管结构；以及一沟槽结势垒肖特基二极管；其中，该沟槽结势垒肖特基二极管的侧壁的一绝缘层内不具备有一侧栅极。本发明提供的具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构具有最短的电流路径、以及电流路径垂直于水平面或肖特基势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 结势垒肖特基 二极管 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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