[发明专利]一种增强型GaN HEMT环形栅下刻蚀器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110403835.1 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113161239A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 朱彦旭;李建伟;谭张杨;李锜轩;王猜;魏昭 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种增强型GaN HEMT环形栅下刻蚀器件属于半导体微电子领域。器件共分为10个区域，分别为为源极开孔区域、漏极开孔区域、栅极开孔区域，源电极，源电极处刻蚀的凹槽，刻蚀后剩余的栅下P‑GaN,环形栅电极，漏电极处刻蚀的凹槽，漏电极，SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 增强 gan hemt 环形 刻蚀 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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