[发明专利]存储单元在审
| 申请号： | 202110389979.6 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113130743A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;李东颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种存储单元及形成所述存储单元的方法。存储单元包括底部电极、顶部电极、储存元件层及保护层。储存元件层设置在底部电极与顶部电极之间。保护层覆盖储存元件层及顶部电极，且保护层的材料衍生自储存元件层。还提供一种具有存储单元的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 | ||
【主权项】：
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