[发明专利]存储单元在审
| 申请号： | 202110389979.6 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113130743A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;李东颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储单元，包括：
底部电极及顶部电极；
储存元件层，设置在所述底部电极与所述顶部电极之间；以及
保护层，覆盖所述储存元件层及所述顶部电极，其中所述保护层的材料衍生自所述储存元件层。
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