[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202110387423.3 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN114613729A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 林揆伦;许家玮;于雄飞;徐志安;许智育;陈建豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和方法。在一个实施例中，一种方法包括：在第一鳍和第二鳍上沉积栅极电介质层，第一鳍和第二鳍在第一方向上远离衬底延伸，第一鳍和第二鳍之间的距离沿着第一方向减小；通过将栅极电介质层暴露于自限制源前体和自反应源前体，来在栅极电介质层上沉积牺牲层，自限制源前体反应以形成牺牲层的材料的初始层，自反应源前体反应以形成牺牲层的材料的主层；在牺牲层覆盖栅极电介质层时，对栅极电介质层进行退火；在对栅极电介质层进行退火之后，去除牺牲层；以及在去除牺牲层之后，在栅极电介质层上形成栅极电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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