[发明专利]一种基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法在审
| 申请号： | 202110384542.3 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113097120A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 曹建峰 | 申请（专利权）人： | 曹建峰 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 234000 安徽省宿*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法，在玻璃基底上设置一层聚酰亚胺下绝缘层，在其上表面制作传感器电路层，在传感器电路层上设置聚酰亚胺上绝缘层并软烘固化处理，处理后对聚酰亚胺上绝缘层的上表面刻蚀，刻蚀后设置上粘结剂层，同时将上金属铝箔基底压在上粘接剂层上形成半成品，而后对半成品加热使上粘结剂层软烘和固化，同时对上金属铝箔基底滚动施压消除气隙；固化后的半成品浸泡，使聚酰亚胺下绝缘层与玻璃基底分离；重复刻蚀及后续步骤，滚动施压后制备薄膜传感器。本发明成本低，操作简单、易于实现，仅利用玻璃亲水性便完成分离，通过刻蚀提升粘接效果，实现了嵌入式封装，使传感器嵌入金属箔中，得到有效保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 基底 薄膜 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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