[发明专利]用于具有集成二极管的IGBT器件的隔离结构在审
| 申请号： | 202110382000.2 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113517272A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | M·戴内塞;C·李;A·莫泽;W·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据半导体器件的实施例，该器件包括具有晶体管区和二极管区的半导体衬底。晶体管区包括多个IGBT单元和电荷载流子补偿区，该电荷载流子补偿区被配置为基于IGBT单元的导通状态或截止状态从漂移区排出少数电荷载流子或将少数电荷载流子接纳到漂移区。二极管区包括多个二极管单元。在晶体管区和二极管区之间提供隔离结构。隔离结构包括沿二极管区的外围的至少部分纵向延伸的第一沟槽和插入在第一沟槽和晶体管区之间的第二沟槽。电荷载流子补偿区延伸到隔离结构的第二沟槽而不是第一沟槽，使得电荷载流子补偿区与二极管区的阳极电位电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 集成 二极管 igbt 器件 隔离 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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