[发明专利]一种具有高导通能力的氮化镓晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110379231.8 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113224155A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;冯辰亮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有高导通能力的氮化镓晶体管及其制备方法。由下至上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN沟道外延层，AlGaN势垒层，在栅区刻蚀下方AlGaN势垒层形成栅区凹槽、在源区和漏区刻蚀下方AlGaN势垒层形成阵列孔，在凹槽和阵列孔中选区生长AlGaN二次外延层，二次外延形成的栅区凹槽上生长栅介质层，源区和漏区的阵列孔上形成源极和漏极，凹槽沟道处的栅介质层上覆盖栅极。本发明器件和制备工艺简单可靠，通过在源/漏区和栅区进行干法刻蚀和选区二次外延生长技术，有效减小了器件在源/漏区的欧姆接触电阻和栅区导通电阻，实现栅区的高迁移率和高导通能力，优化了源漏区的无金工艺欧姆接触，显著改善了GaN常关型MISFET器件开态下的导通性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高导通 能力 氮化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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