[发明专利]一种基于忆阻器的自适应神经元电路有效
| 申请号： | 202110377410.8 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112906880B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李祎;卢一帆;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 邓彦彦;廖盈春 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于忆阻器的自适应神经元电路，包括：激励脉冲、非易失性忆阻器以及电容构成充电回路；易失性忆阻器、电容以及电阻构成放电回路；电阻两端的电压信号作为神经元电路的输出脉冲；工作过程如下：非易失性忆阻器接收到激励脉冲后，电容通过充电回路充电，电容电压逐渐增大，当易失性忆阻器两端电压小于阈值电压时，输出脉冲为0，当易失性忆阻器两端电压大于或等于阈值电压时，电容通过放电回路放电，电阻两端电压作为输出脉冲产生动作电位；在激励脉冲的作用下，非易失性忆阻器的阻值逐渐增大，导致产生的所述动作电位频率越来越小，模拟了神经元对恒定的外界刺激逐渐适应的特性。本发明模拟了神经元的自适应功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 忆阻器 自适应 神经元 电路 | ||
【主权项】：
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