[发明专利]具有夹层SnS薄膜吸收层的叠层太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202110374609.5 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113851547A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 程莉莉 | 申请(专利权)人: | 文华学院 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/0687;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有夹层硫化亚锡薄膜吸收层的叠层太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括透明导电基底层、n‑(SnS2)层或n‑SnS2(TiO2)层、夹层SnS吸收层以及背电极层,其中的夹层SnS吸收层为p‑SnS(N)/p‑SnS/p‑SnS(N)夹层结构,该夹层结构是在PECVD法进行SnS薄膜制备过程中进行N元素的掺杂。在吸收层结构中加入的N掺杂SnS薄膜,其可以作为SnS2/SnS2(TiO2)层与p‑SnS薄膜之间以及与背电极之间的过渡层,能够降低层间电阻,提高光电转换效率。同时,过渡层结构能够为增加SnS吸收层制备厚度以进一步提高电池的光电转换效率提供可能,且该掺杂工艺在SnS薄膜制备过程中同时进行,没有增加额外的工艺步骤。 | ||
搜索关键词: | 具有 夹层 sns 薄膜 吸收 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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