[发明专利]半导体器件的制备方法和半导体器件有效
| 申请号： | 202110371659.8 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113161483B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 占康澍;夏军;宛强;李森;刘涛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，所述制备方法包括：提供衬底；于所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括从下至上依次层叠设置的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层，在同一刻蚀条件下，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的刻蚀速率不同；于所述堆叠结构内形成贯穿所述堆叠结构的电容孔；于所述电容孔内形成覆盖其内壁表面的第一导电层；去除部分所述第三支撑层以形成暴露所述第二牺牲层的开口；通过所述开口采用高选择比的刻蚀工艺去除所述第二牺牲层，保留所述第一牺牲层。根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，能够提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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