[发明专利]一种高切换速度的SOI CMOS射频开关在审
| 申请号： | 202110370064.0 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN115173845A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏 | 申请（专利权）人： | 上海乾合微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及射频开关技术领域,公开了一种高切换速度的SOICMOS射频开关，包括三态控制电路和包括射频开关电路，射频开关电路包括一个固定端和多个选择端，每个选择端与固定端之间构成一条通道，每条通道的主路径为多个级联的开关管，每条通道的所有开关管的栅极并联，三态控制电路向每条通道的开关管的栅极提供控制电压，三态控制电路的控制电压输出端与每条通道的开关管的栅极的线路上分别设有电压切换电路，电压切换电路在对应的通道的开关管的控制电压从正电压变为负电压或者从负电压变为正电压时，使开关管的栅极与接地端电连接，在使用时，通过电压切换电路，可以在射频开关逻辑切换时能迅速将控制电压快速拉至地电压，从而加快逻辑切换速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切换 速度 soi cmos 射频 开关 | ||
【主权项】：
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