[发明专利]一种高切换速度的SOI CMOS射频开关

权利要求书

1.一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，包括三态控制电路，其特征在于：还包括射频开关电路，所述射频开关电路包括一个固定端和多个选择端，每个选择端与固定端之间构成一条通道，每条通道的主路径为多个级联的开关管，每条通道的所有开关管的栅极并联，所述三态控制电路向每条通道的开关管的栅极提供控制电压，所述三态控制电路的控制电压输出端与每条通道的开关管的栅极的线路上分别设有电压切换电路，所述电压切换电路在对应的通道的开关管的控制电压从正电压变为负电压或者从负电压变为正电压时，使开关管的栅极与接地端电连接。

2.根据权利要求1所述的一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，其特征在于：所述电压切换电路包括上拉电路和下拉电路，所述上拉电路包括第一场效应晶体管P1和第二场效应晶体管P2，所述第一场效应晶体管P1的漏极与开关管的栅极电连接，所述第一场效应晶体管P1的源极与第二场效应晶体管P2的漏极电连接，所述第一场效应晶体管P1的栅极与第二场效应晶体管P2的栅极电连接，所述第二场效应晶体管P2的源极接地；所述下拉电路包括第三场效应晶体管N1和第四场效应晶体管N2，所述第三场效应晶体管N1的漏极与开关管的栅极电连接，所述第三场效应晶体管N1的源极与第四场效应晶体管N2的漏极电连接，所述第三场效应晶体管N1的栅极与第四场效应晶体管N2的栅极电连接，所述第四场效应晶体管N2的源极接地。

3.根据权利要求2所述的一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，其特征在于：所述控制电压从正电压切换到负电压时，所述第一场效应晶体管P1和第二场效应晶体管P2导通，所述第三场效应晶体管N1和第四场效应晶体管N2关断；所述控制电压从负电压切换到正电压时，所述第一场效应晶体管P1和第二场效应晶体管P2关断，所述第三场效应晶体管N1和第四场效应晶体管N2导通。

4.根据权利要求1所述的一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，其特征在于：在同一时刻，仅有一条通道的开关管输入的控制电压是正电压，其余通道的开关管输入的控制电压是负电压。

5.根据权利要求1所述的一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，其特征在于：所述开关管均为SOI CMOS晶体管，每条通道的开关管的源极和漏极之间均连接电阻，每条通道中靠近选择端的开关管的源极和漏极之间的电阻还通过接地电阻接地。

6.根据权利要求5所述的一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，其特征在于：每条通道中靠近固定端的M个开关管的源极和漏极之间还连接有电容，所述电容与开关管的源极和漏极之间的电阻并联。

7.根据权利要求1-6所述的一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，其特征在于：所述射频开关电路包括一个固定端和n个选择端，构成单刀n掷开关。

8.根据权利要求7所述的一种高切换速度的SOI CMOS射频开关，其特征在于：将m个权利要求7所述的单刀n掷开关并列叠加，这m个单刀n掷开关分别是单刀n1掷开关、单刀n2掷开关、……、单刀nm掷开关，构成m刀(n1+n2+……+nm)掷开关。