[发明专利]提高外延片波长均匀性的石墨基板及其制造方法有效
申请号: | 202110368008.3 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN113322447B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 葛永晖;梅劲;刘春杨;刘旺平;王慧;陈张笑雄 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C30B25/12;C30B25/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板及其制造方法,属于半导体技术领域。所述石墨基板为圆盘,所述石墨基板的第一表面上具有用于容纳外延片的多个圆形槽,所述多个圆形槽的圆心位于至少两个第一同心圆上,所述石墨基板的第一表面上还具有多个圆形凹坑,所述多个圆形凹坑的圆心位于至少一个第二同心圆上,所述至少一个第二同心圆和所述至少两个第一同心圆的圆心重合,且所述第一同心圆和所述第二同心圆交替设置。该石墨基板可以降低流至石墨基板边缘的Mo源气流的流速,改善石墨基板边缘离心力大、Mo源流速过快的问题,进而可以改善在石墨基板上生长的外延片外圈边缘波长偏短或偏长的问题,使得外延片各个区域的发光波长一致。 | ||
搜索关键词: | 提高 外延 波长 均匀 石墨 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(浙江)有限公司,未经华灿光电(浙江)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110368008.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的