[发明专利]提高外延片波长均匀性的石墨基板及其制造方法

权利要求书

1.一种提高外延片波长均匀性的石墨基板，所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板(100)的第一表面上具有用于容纳外延片的多个圆形槽(100a)，所述多个圆形槽(100a)的圆心位于至少两个第一同心圆(A)上，其特征在于，

所述石墨基板(100)的第一表面上还具有多个圆形凹坑(100b)，所述多个圆形凹坑(100b)的圆心位于至少一个第二同心圆(B)上，所述至少一个第二同心圆(B)和所述至少两个第一同心圆(A)的圆心重合，且所述第一同心圆(A)和所述第二同心圆(B)交替设置，

所述第一同心圆(A)的个数为n，所述第二同心圆(B)的个数为m，m＝n-1，m为大于等于2的正整数，位于同一所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的深度H均相同，5um≤H≤50um，当2≤m时，从所述石墨基板(100)的中心至所述石墨基板(100)的边缘方向，第i个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b) 的深度小于第i+1个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的深度，1≤i≤m，第i个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的深度为第i+1个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的深度的1/2。

2.根据权利要求1所述的石墨基板，其特征在于，位于同一所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的直径D均相同，2um≤D≤20um。

3.根据权利要求2所述的石墨基板，其特征在于，当2≤m时，从所述石墨基板(100)的中心至所述石墨基板(100)的边缘方向，第i个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的直径小于第i+1个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的直径，1≤i≤m。

4.根据权利要求3所述的石墨基板，其特征在于，第i个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的直径为第i+1个所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)的直径的1/2。

5.根据权利要求1至4任一项所述的石墨基板，其特征在于，位于同一所述第二同心圆(B)上的多个所述圆形凹坑(100b)等距间隔布置。

6.一种提高外延片波长均匀性的石墨基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在所述石墨基板的第一表面上形成用于容纳外延片的多个圆形槽，所述多个圆形槽的圆心位于至少两个第一同心圆上；

在所述石墨基板的第一表面上形成多个圆形凹坑，所述多个圆形凹坑的圆心位于至少一个第二同心圆上，所述至少一个第二同心圆和所述至少两个第一同心圆的圆心重合，且所述第一同心圆和所述第二同心圆交替设置，

所述第一同心圆的个数为n，所述第二同心圆的个数为m，m＝n-1，m为大于等于2的正整数，位于同一所述第二同心圆上的多个所述圆形凹坑的深度H均相同，5um≤H≤50um，当2≤m时，从所述石墨基板的中心至所述石墨基板的边缘方向，第i个所述第二同心圆上的多个所述圆形凹坑的深度小于第i+1个所述第二同心圆上的多个所述圆形凹坑的深度，1≤i≤m，第i个所述第二同心圆上的多个所述圆形凹坑的深度为第i+1个所述第二同心圆上的多个所述圆形凹坑的深度的1/2。