[发明专利]一种硅基OLED微显示器阳极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110362257.1 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113054142B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/81 | 分类号： | H10K50/81;H10K71/60;H10K59/10 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙华区大浪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基OLED微显示器阳极及其制备方法和应用，在wafer背板依次为：第一层由锆、铬或钛金属制备的薄膜结构；第二层由铝、镁、金或银高反射率金属制备的薄膜结构；第三层由氮化钛、氮化锆、氮化铬或TiAlN氮化物制备的薄膜结构；第四层由ITO、IZO或IVO过渡金属氧化物制备的薄膜结构；第五层由Bi、Cr、Ga、La、Sn、Ta、Ti、W、Mo或Ni等金属制备的薄膜结构。与现有技术相比，本发明阳极具有耐腐蚀性、稳定性和更高的功函数，提高空穴注入能力和器件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示器 阳极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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