[发明专利]一种硅基OLED微显示器阳极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110362257.1 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113054142B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/81 | 分类号： | H10K50/81;H10K71/60;H10K59/10 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙华区大浪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示器 阳极 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种硅基OLED微显示器阳极，包括Wafer基底，其特征在于，在Wafer上为金属层，在金属层上为高反射率金属层；在高反射率金属层上为氮化物层；所述氮化物层上为过渡金属氧化物层；所述过渡金属氧化物层上为第五层金属层；
所述过渡金属氧化物层厚度为5~160nm，为IZO或IVO过渡金属氧化物制备的薄膜结构；
所述第五层金属层厚度为5~20nm，为Bi、Cr、Ga、La、Sn、Ta、Ti、W、Mo或Ni金属制备的薄膜结构。
2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器阳极，其特征在于，所述Wafer基底采用基于CMOS驱动电路的硅基。
3.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器阳极，其特征在于，所述金属层厚度为1~50nm，为锆、铬或钛金属薄膜层。
4.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器阳极，其特征在于，所述高反射率金属层厚度为600~1200nm，为铝、镁、金或银高反射率金属层。
5.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器阳极，其特征在于，所述氮化物层厚度为1~5nm，为氮化钛、氮化锆、氮化铬或TiAlN制备的薄膜结构。
6.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器阳极，其特征在于，形成第五层金属层后，进行等离子体处理形成氧化物薄膜，等离子体处理时采用氩气与氧气的混合气体。
7.一种权利要求1-6任一项所述硅基OLED微显示器阳极的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：
1）在Wafer基底上制备金属层；
2）在金属层上制备高反射率金属层；
3）在高反射率金属层上制备氮化物层；
4）在氮化物层上制备过渡金属氧化物层；
5）在过渡金属氧化物层上制备第五层金属层。
8.一种权利要求1-6任一项所述硅基OLED微显示器阳极的应用，其特征在于，用于硅基OLED微显示器。
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