[发明专利]一种CdSe量子点、及其制备方法和光电导二极管有效
| 申请号： | 202110361517.3 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113150785B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 鄢勇;周艺 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y30/00;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 | 代理人： | 刘丹妮;姚望舒 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种一种带有离子配体的CdSe量子点颗粒及其光电导二极管，所述带有离子配体的CdSe量子点颗粒的紫外吸收第一激子激发峰的波长位置在400～700nm。本发明使用碳纳米管/石墨烯复合膜和金膜作为不对称电极，在硒化镉量子点的光电导的基础上成功地构建了量子点光电导二极管的单层结构。在该系统中，碳纳米管/氧化石墨烯膜电极具有富孔结构，可以在偏压下捕获自由离子，从而建立不对称的离子和电子电荷浓度梯度，并实现不对称的电荷传输。该光电导二极管的构造方法和整流机理与迄今为止报道的所有光电二极管器件都不相同。通过器件结构和光电导原理的创新，有希望扩大高性能半导体量子点在光电器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdse 量子 及其 制备 方法 电导 二极管 | ||
【主权项】：
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