[发明专利]一种CdSe量子点、及其制备方法和光电导二极管

权利要求书

1.一种带有离子配体的CdSe量子点颗粒，其特征在于，所述离子配体为N,N,N-三甲基-11-巯基烷基氯化铵；

其中，所述带有离子配体的CdSe量子点颗粒的紫外吸收第一激子激发峰的波长位置在400～700nm。

2.根据权利要求1所述的带有离子配体的CdSe量子点颗粒，其特征在于，所述带有离子配体的CdSe量子点颗粒第一激子激发峰的范围选自以下一种或多种：510nm、520nm、552nm、572nm。

3.根据权利要求1或2所述的带有离子配体的CdSe量子点颗粒的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)以CdSe、十六胺以及三正辛基氧膦的混合物为前体，用热注射法合成十六胺配体的CdSe量子点；

(2)将步骤(1)合成的CdSe量子点冷却至室温，用乙醇清洗后溶于氯仿，再加入离子配体进行配体交换，得到所述带有离子配体的CdSe量子点颗粒。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述热注射法的合成温度为200～300℃；和/或

步骤(2)中，所述配体交换时间为0.5～3小时。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述热注射法的合成温度为250～300℃；和/或

步骤(2)中，所述配体交换时间为0.5～2小时。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述热注射法的合成温度为280℃；和/或

步骤(2)中，所述配体交换时间为1小时。

7.一种CdSe量子点光电导二极管，其特征在于，所述CdSe量子点光电导二极管包括分别滴涂有权利要求1或2所述的带有离子配体的CdSe量子点颗粒的碳材料电极和ITO电极，CdSe量子点光电导二极管可在偏压下捕获自由离子。

8.根据权利要求7所述的CdSe量子点光电导二极管，其特征在于，所述碳材料电极中的碳材料选自以下一种或多种：单壁碳纳米管、还原氧化石墨烯。

9.根据权利要求7或8所述的CdSe量子点光电导二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(I)分别制备碳材料电极和ITO电极；

(II)将带有离子配体的CdSe量子点溶于甲醇，并将其甲醇溶液分别滴涂于步骤(I)制备的碳材料电极与ITO电极表面，将两电极贴合形成接触，完成CdSe量子点光电导二极管器件的构建。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤(I)中，所述碳材料电极的制备方法包括以下步骤：

(A)将单壁碳纳米管分散液与还原氧化石墨烯分散液超声处理后，以纤维树脂MCE为滤膜，对其滤液分别进行抽滤，得到碳纳米管/还原氧化石墨烯复合薄膜；

(B)将步骤(A)制得的碳纳米管/还原氧化石墨烯复合薄膜溶解后再行转移至氧化硅基底上，用去离子水将其润湿，待水分蒸发后，将MCE滤膜揭掉，对所述复合膜进行退火处理，得到所述碳材料电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤(A)中，所述单壁碳纳米管分散液中还包括表面活性剂。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤(A)中，所述表面活性剂为SDS。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(B)中，所述退火处理温度为200～500℃；和/或

所述退火处理时间为10～60分钟。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(B)中，所述退火处理温度为250～400℃；和/或

所述退火处理时间为20～40分钟。