[发明专利]压控振荡器和锁相环在审
| 申请号： | 202110355492.6 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN115173856A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 魏钊鹏;陈廷乾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/08 | 分类号： | H03L7/08;H03L7/099 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种压控振荡器和锁相环，压控振荡器包括：谐振电路，具有第一输出端和第二输出端；电流源；负阻电路，包括均为NMOS晶体管的第一晶体管和第二晶体管，NMOS晶体管的衬底中具有P型阱区、以及包围P型阱区的N型阱区，第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极共接于第一输出端，第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极共接于第二输出端，第一晶体管的体端和源极相连并共接于电流源，第二晶体管的体端和源极相连并共接于电流源。本发明通过在NMOS晶体管的衬底中设置N型阱区，在NMOS晶体管的衬底的电位连接方式不受影响的情况下，体端和源极能够相连，相应改善或消除衬偏效应，同时有利于隔绝外界衬底噪声的影响，上述两个方面均有利于改善相位噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 压控振荡器 锁相环 | ||
【主权项】：
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