[发明专利]压控振荡器和锁相环在审
| 申请号： | 202110355492.6 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN115173856A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 魏钊鹏;陈廷乾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/08 | 分类号： | H03L7/08;H03L7/099 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压控振荡器 锁相环 | ||
1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：
谐振电路，所述谐振电路具有第一输出端和第二输出端；
电流源；
负阻电路，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管均为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的衬底中具有P型阱区、以及包围所述P型阱区的N型阱区，所述P型阱区具有体端，所述第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极共接于所述第一输出端，所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极共接于所述第二输出端，所述第一晶体管的体端和源极相连并共接于所述电流源，所述第二晶体管的体端和源极相连并共接于所述电流源。
2.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述N型阱区浮接。
3.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述N型阱区包括：位于所述P型阱区底部的第一N型阱区，所述P型阱区在所述第一N型阱区中的投影位于所述第一N型阱区内部，且所述第一N型阱区为深N型阱区；
环绕所述P型阱区的第二N型阱区，所述第二N型阱区与相对应的所述第一N型阱区相连，所述第二N型阱区的离子掺杂浓度小于所述第一N型阱区的离子掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述衬底表面露出的N型阱区中具有N型接触区，所述N型接触区用于作为相对应的所述N型阱区的外接端子。
5.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述NMOS晶体管的P型阱区中还具有与所述源极相隔离的第一P型接触区，所述第一P型接触区用于作为相对应的所述P型阱区的体端。
6.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述NMOS晶体管的衬底为P型衬底。
7.如权利要求6所述的压控振荡器，其特征在于，所述NMOS晶体管的衬底中均具有与所述N型阱区相隔离的第二P型接触区，所述第二P型接触区用于作为相对应的所述衬底的外接端子。
8.如权利要求6或7所述的压控振荡器，其特征在于，所述P型衬底接地。
9.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述谐振电路包括并联连接的电感和电容；
所述电感的两端分别与所述第一输出端和第二输出端耦接；
所述电容的两端分别与所述第一输出端和第二输出端耦接。
10.如权利要求9所述的压控振荡器，其特征在于，所述电容包括可变电容和电容矩阵中的一种或两种。
11.一种锁相环，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的压控振荡器。
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