[发明专利]提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置有效
| 申请号： | 202110347711.6 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN115142121B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 郑来奇;欧子杨;白枭龙;尚伟泽;杨俊 | 申请（专利权）人： | 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 钱娴静 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请涉及光伏领域，提供一种提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，其中，方法包括以下步骤：在拉制成型的单晶硅取出单晶炉之后，且在复投硅料之前，通过晶体提拉装置将复投钡粉装置下降至坩埚内的硅液面上方，使得复投钡粉装置的出粉口与坩埚底部的圆角处相对；控制晶体提拉装置的转速达到预设值，在保护气体的作用下将放置于复投钡粉装置内的钡粉吹向坩埚底部圆角处。本申请提出提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，能够降低连续拉制单晶硅过程中坩埚的腐蚀程度，提高坩埚使用寿命，提升复投单晶硅品质。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 单晶硅 成晶率 方法 制备 装置 | ||
【主权项】：
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