[发明专利]提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置

权利要求书

1.一种单晶硅制备装置，其特征在于，所述单晶硅制备装置至少包括：单晶炉、坩埚、加热器、晶体提拉装置及复投钡粉装置；

所述坩埚内收容硅原料，并在所述加热器的作用下将所述硅原料熔化成硅溶液；

所述复投钡粉装置可拆卸连接在所述晶体提拉装置上，所述复投钡粉装置包含用于放置钡粉的收容部；

所述晶体提拉装置用于将所述复投钡粉装置下降至所述坩埚内的硅液面上方，并带动所述复投钡粉装置转动，且所述复投钡粉装置的出粉口与所述坩埚底部的圆角处相对，以使得在保护气体的作用下将放置于所述复投钡粉装置内的钡粉吹向所述坩埚底部圆角处；

所述复投钡粉装置包括卡合部及设置于卡合部两侧的收容部，所述卡合部与所述晶体提拉装置可拆卸连接，所述收容部设有出粉口及进粉口，所述出粉口水平设置，所述进粉口竖直设置；所述卡合部为卡环，所述收容部为L型收容管；

所述单晶硅制备装置还包括与所述坩埚底部连接的坩埚升降装置及坩埚转动装置；

所述坩埚升降装置用于带动所述坩埚沿竖直方向上下移动；

所述坩埚转动装置用于带动所述坩埚旋转，且所述坩埚的转动方向与所述晶体提拉装置的转动方向相反。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述复投钡粉装置的直径与所述坩埚的直径比值为（0.5~0.8）：1。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述复投钡粉装置投入钡粉时，所述坩埚的转速为5 r/min至8 r/min。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述复投钡粉装置投入钡粉时，所述晶体提拉装置的转速为10 r/min至20 r/min。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述复投钡粉装置下降至与所述坩埚内的硅液面的距离为25mm~55mm。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在往所述复投钡粉装置内装入钡粉时，所述保护气体的流量为25slpm~35slpm。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在将所述复投钡粉装置内的钡粉吹出至所述坩埚底部圆角处时，所述保护气体的流量为180slpm~220slpm。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述钡粉的单次投入量为3.1g~3.5g。