[发明专利]制造凸块或柱的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202110345362.4 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113173558A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吴凯第;郑明达;吕文雄;杨挺立;林素妃;刘旭伦;李明机 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造凸块或柱的方法中，在衬底上方形成凸块下导电层，在凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层，在第一开口和第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块，去除第一光刻胶层，在第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层，在第三开口中的第二低凸块上形成第二导电层以形成具有大于第一低凸块高的高度的高凸块，以及去除第二光刻胶层。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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