[发明专利]制造凸块或柱的方法和半导体器件

说明书

在制造凸块或柱的方法中，在衬底上方形成凸块下导电层，在凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层，在第一开口和第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块，去除第一光刻胶层，在第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层，在第三开口中的第二低凸块上形成第二导电层以形成具有大于第一低凸块高的高度的高凸块，以及去除第二光刻胶层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

技术领域

本发明的实施例涉及制造凸块或柱的方法和半导体器件。

背景技术

最近已经开发了微电子机械系统(MEMS)器件。MEMS器件包括使用半导体技术制造的器件以形成机械和电子部件。MEMS器件实现在压力传感器、麦克风、致动器、镜像、加热器和/或打印机喷嘴中。虽然用于形成MEMS器件的现有器件和方法对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造凸块或柱的方法，包括：在衬底上方形成凸块下导电层；在所述凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层；在所述第一开口和所述第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块；去除所述第一光刻胶层；在所述第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层；在所述第三开口中的所述第二低凸块上形成第二导电层，以形成具有大于所述第一低凸块的高度的高凸块；以及去除所述第二光刻胶层。

本发明的另一实施例提供了一种制造凸块或柱的方法，包括：在衬底上方形成焊盘电极；在所述焊盘电极上方形成绝缘层；图案化所述绝缘层以部分地暴露所述焊盘电极；在所述绝缘层和暴露的所述焊盘电极上方形成凸块下导电层；在所述凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层；在所述第一开口和所述第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块；去除所述第一光刻胶层；在所述第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层；在所述第三开口中的所述第二低凸块上形成第二导电层以形成具有大于所述第一低凸块的高度的高凸块；去除所述第二光刻胶层；形成具有第四开口的第三光刻胶层以暴露所述凸块下导电层的部分，所述第三光刻胶层覆盖所述第一低凸块和所述高凸块；在所述第四开口中的所述凸块下导电层的暴露部分上形成一个或多个导电层，以形成第三低凸块；去除所述第三光刻胶层；以及去除未由所述第一低凸块、所述第三低凸块和所述高凸块覆盖的所述凸块下导电层的部分。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；以及第一凸块结构，设置在所述衬底上方，其中：所述第一凸块结构包括具有第一高度的第一凸块，所述第一凸块设置在凸块下导电层上方并且由Au或Au合金制成，并且所述凸块下导电层包括由Ti或Ti合金制成的下部层和由Au或Au合金制成的上部层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A和图1B示出了根据本发明的实施例的MEMS器件的示意性截面图。

图2示出了根据本发明的实施例的MEMS器件的使用。

图3A、图3B、图3C、图3D和图3E示出了根据本发明的实施例的MEMS器件的顺序制造操作的各个阶段的示意性截面图。

图4A、图4B、图4C和图4D示出了根据本发明的实施例的用于MEMS器件的顺序制造操作的各个阶段的示意性截面图。

图5A、图5B和图5C示出了根据本发明的实施例的用于MEMS器件的顺序制造操作的各个阶段的示意性截面图。

图6A、图6B和图6C示出了根据本发明的实施例的用于MEMS器件的顺序制造操作的各个阶段的示意性截面图。

图7A示出了MEMS器件的平面图，并且图7B示出了根据本发明的实施例的焊盘结构器件的截面图。