[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202110342496.0 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113284801B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;梅劲;刘春杨;刘旺平 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。制备方法包括：提供一衬底；在衬底上生长成核层，在生长成核层的过程中，对成核层进行第一次高温腐蚀处理；在成核层上生长高阻缓冲层，在生长高阻缓冲层的过程中，依次对高阻缓冲层进行第二次高温腐蚀处理和离子束轰击处理；在高阻缓冲层上依次生长沟道层和AlGaN势垒层。采用该制备方法可以有效避免外延层内晶格失配产生的应力和缺陷延伸，提高最终形成的外延层的晶体质量，并提高电子迁移率晶体管的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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