[发明专利]一种静电吸盘及等离子体反应装置在审
| 申请号： | 202110341643.2 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115148653A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬;吴昊 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电吸盘，包含：基座；设置在基座上的第一介电层，其为具有第一电阻率的有掺杂陶瓷材质，第一介电层内设有产生静电力的电极；第二介电层，设置在第一介电层上并覆盖第一介电层，且第二介电层为具有第二电阻率的无掺杂陶瓷材质；第二电阻率大于第一电阻率。本发明还提供一种等离子体反应装置。本发明的静电吸盘吸附力强，吸附力分布均匀，易解吸附，使用寿命长，颗粒物污染少，有效防止晶圆背面发生氦气打火，提高了晶圆加工成品率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸盘 等离子体 反应 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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