[发明专利]一种静电吸盘及等离子体反应装置

权利要求书

1.一种静电吸盘，其特征在于，包含：

基座，

设置在所述基座上的第一介电层；所述第一介电层为具有第一电阻率的有掺杂陶瓷材质，第一介电层内设有产生静电力的电极；

设置在所述第一介电层上并覆盖第一介电层的第二介电层；所述第二介电层为具有第二电阻率的无掺杂陶瓷材质；第二电阻率大于第一电阻率。

2.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第一介电层为有掺杂的AL₂O₃，其掺杂物包含Si、C、Mg，MgO，TiO₂中的任一种或多种。

3.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第二介电层为无掺杂的AL₂O₃。

4.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第一介电层的电阻率为10¹⁰～10¹²Ω.cm。

5.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第二介电层的电阻率大于10¹⁴Ω.cm。

6.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述第二介电层与晶圆接触的表面设有多个均匀或非均匀分布的凸起部；所述凸起部的高度范围为2～3um。

7.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，在第一、第二介电层之间还设有用于固定连接第一、第二介电层的黏接层。

8.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第一介电层的厚度为0.2～2mm。

9.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第二介电层的厚度为0.01～0.5mm。

10.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第一介电层具有0.6～0.8um的表面粗糙度；第二介电层具有0.1～0.2um的表面粗糙度。

11.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第一介电层底部粘接基座顶部，第二介电层的外围向下延伸并完全覆盖第一介电层的外侧壁。

12.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，第一介电层嵌入设置在基座顶部，且第一介电层顶面与基座顶面平齐；第二介电层设置在基座上并完全覆盖第一介电层。

13.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，基座的外侧壁设有耐等离子体腐蚀的镀膜。

14.如权利要求6所述的静电吸盘，其特征在于，基座中设置有若干冷却管道，所述冷却管道包含氦气通道，通过所述氦气通道将氦气通至晶圆与第二介电层之间的间隙，且氦气通道避让所述凸起部。

15.一种等离子体反应装置，包括一等离子体反应腔，其特征在于，等离子体反应腔内底部设有如权利要求1至14任一所述的静电吸盘，通过所述静电吸盘吸附待加工的晶圆。