[发明专利]形成薄膜的方法在审
| 申请号： | 202110339032.4 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113493906A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 姜成圭;崔钟完;金英勋;金熙哲;李庚垠;柳太熙 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/455;C23C16/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于填充间隙而无缝隙或空隙的衬底处理方法，所述方法包含：在反应室中提供具有间隙的衬底，对所述反应室进行抽气到5托或以下的压力，以及通过交替且依次供应前体、反应物和包含相对高射频分量和相对低射频分量的射频电磁辐射来用膜填充所述间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
