[发明专利]光掩模上的EUV防护膜及其安装方法在审
| 申请号： | 202110338232.8 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113515008A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 魏文耀;吕启纶;李信昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/64 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及光掩模上的EUV防护膜及其安装方法。在一种从光掩模拆卸防护膜的方法中，将具有防护膜的光掩模放置在掩模支架上。防护膜通过多个微结构附接于光掩模。在施加拉力以将防护膜从光掩模分离之前或者在未施加拉力的情况下，通过向多个微结构施加力或能量来使多个微结构从光掩模脱离。从光掩模拆卸防护膜。在前述和以下实施例中的一个或多个中，多个微结构由弹性体制成。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模上 euv 防护 及其 安装 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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