[发明专利]负载金属的三氧化钨基纳米异质结材料的原位合成方法有效
| 申请号： | 202110337833.7 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113070063B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赵勤;倪雪薇;熊秋阁;吴雨薇;郭虞敏;王婧虹;杨文娟;吴淑澄 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | B01J23/652 | 分类号： | B01J23/652;B01J23/68 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 秦秋星 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负载金属的三氧化钨基纳米异质结材料的原位合成方法，包括如下步骤：步骤1：制备表层含有还原性的氧空位和五价钨的蓝色氧化钨；步骤2：利用蓝色氧化钨自身的还原性在其表面原位生长金属纳米粒子，得到负载金属的三氧化钨基纳米异质结复合材料。本发明原位生长合成出的复合材料有紧密结合的异质结界面，电子传递效率高，可调控能带，促进电荷分离和转移，解决三氧化钨光生电子与空穴复合率高及自身导带电势低的问题，大大提高材料的光催化活性和稳定性，可广泛应用于光催化制太阳能燃料和光催化降解污染物等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 负载 金属 氧化钨 纳米 异质结 材料 原位 合成 方法 | ||
【主权项】：
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