[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110320162.3 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113451099A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 上村大义;谷山智志;白子贤治;嶋田宽哲;堀井明;中田高行;山岛规裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，提供能够减少占用空间并提高排气效率的构成。包括：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器和在正面侧设置的衬底的搬入口；第1设备系统，其包含向所述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统，所述第1设备系统与所述第1处理组件的背面接近配置；以及第1真空排气装置，其配置在所述第1处理组件的后方，对所述第1处理容器内进行排气，所述第1真空排气装置的外侧的侧面以与所述第1设备系统的外侧的侧面相比不向外侧突出的方式构成。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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